因为STM32的内部FLASH大小不一，不同的大小划分是不一样的，但是大同小异这里是以STM32F103C8T6为例进行说明。

基础知识补充

1 字节 = 8 位（bit）
1 千字节（KB）= 1024 字节
1 兆字节（MB）= 1024 千字节（KB）
1 吉字节（GB）= 1024 兆字节（MB）
1 太字节（TB）= 1024 吉字节（GB）

下面是关于STM32F103C8T6内部Flash划分的详细说明

容量

STM32F103C8T6的内部Flash容量为64KB，即64*1024字节,属于小容量产品。
以下是针对STM32F1系列芯片的常见型号，按照容量范围划分的示例：

扇区划分

内部Flash存储器被划分为多个扇区，每个扇区的大小为2KB或4KB，具体划分取决于具体的芯片型号。

STM32F103C8T6(64KB的扇区划分)

请注意，以上表格中的地址是以十六进制表示。每个扇区的大小为1KB（0x400字节）。最后一个扇区地址为0x0800FC00，范围为0x0800FC00-0x0800FFFF，大小为1KB。

STM32的内部FLASH是干什么用的？

STM32的内部Flash主要用于存储程序代码（固件）和只读数据。

• 程序代码（固件）：内部Flash是存储微控制器的程序代码的主要地方。它包含了应用程序的指令集，包括启动代码、中断处理程序、函数和其他执行代码。这些代码定义了系统的功能和行为。通常是编译生成的HEX文件或者BIN文件。
• 只读数据：内部Flash还可以用于存储只读数据，如常量、配置信息和校准数据等。这些数据在程序执行期间是只读的，不会被修改。
• Bootloader：一些STM32芯片内置了Bootloader，它是一个特殊的程序，用于在启动时加载和更新应用程序的固件。Bootloader通常存储在内部Flash的特定区域，并负责固件的升级和管理。

STM32的内部FLASH该如何读写数据呢？

读写内部FLASH的一般步骤

在STM32微控制器中，内部Flash的读写操作通常通过以下步骤进行：

1. 启用Flash访问：在进行Flash读写之前，需要先启用对Flash的访问权限。这可以通过设置Flash控制寄存器（FLASH_CR）中的特定位来实现。例如，将FLASH_CR的PG位设置为1，表示启用对Flash的编程访问。
2. 解锁Flash：在进行Flash编程之前，需要解锁Flash以允许对其进行写操作。通过向FLASH_KEYR寄存器写入特定值来解锁Flash。要解锁Flash，首先写入0x45670123，然后立即写入0xCDEF89AB到FLASH_KEYR寄存器。
3. 检查Flash状态：在进行Flash编程之前，需要检查Flash是否处于忙碌状态。可以通过读取FLASH_SR寄存器中的BSY位来判断Flash是否处于忙碌状态。如果BSY位为1，表示Flash正在执行操作，需要等待。
4. 执行Flash编程：Flash编程可以通过直接写入特定地址处的数据来实现。要编程Flash，将要写入的数据写入Flash目标地址。请注意，写入操作是按字进行的，即每次写入4个字节。可以使用特定的函数或指针访问要编程的Flash地址。
5. 等待Flash操作完成：在执行Flash编程后，需要等待编程操作完成。可以通过轮询FLASH_SR寄存器中的BSY位来检查Flash是否仍处于忙碌状态。当BSY位为0时，表示Flash操作已完成。
6. 锁定Flash：完成Flash编程后，应该锁定Flash以防止意外修改。通过将FLASH_CR寄存器中的LOCK位设置为1，可以锁定Flash。
   请注意，进行Flash编程时需要小心，因为不正确的操作可能会导致Flash数据的损坏。建议在编程Flash之前仔细阅读相关的芯片参考手册，并按照手册中提供的准确步骤和注意事项进行操作。需要注意的是可以使用官方提供的库和API函数来简化Flash读写的操作。

库函数接口操作内部FLASH接口解析

解锁Flash代码解析

/**
  * @brief  Unlocks the FLASH Bank1 Program Erase Controller.
  * @note   This function can be used for all STM32F10x devices.
  *         - For STM32F10X_XL devices this function unlocks Bank1.
  *         - For all other devices it unlocks Bank1 and it is 
  *           equivalent to FLASH_Unlock function.
  * @param  None
  * @retval None
  */
void FLASH_UnlockBank1(void)
{
  /* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
}

这段代码是用于解锁STM32的Bank1程序擦除控制器（Program Erase Controller）。以下是该代码的解释：
该函数用于解锁STM32的Bank1程序擦除控制器，适用于所有STM32F10x系列的设备。对于STM32F10X_XL系列的设备，该函数解锁Bank1。对于其他设备，它解锁Bank1并等效于FLASH_Unlock函数。
该函数没有参数。
函数的返回值为None。
函数内部的操作是通过向FLASH->KEYR寄存器写入特定值来实现解锁。具体来说，两次写入FLASH_KEY1（宏定义的值）到FLASH->KEYR寄存器，以解锁Bank1的访问权限。

/**
  * @brief  Unlocks the FLASH Bank2 Program Erase Controller.
  * @note   This function can be used only for STM32F10X_XL density devices.
  * @param  None
  * @retval None
  */
void FLASH_UnlockBank2(void)
{
  /* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
  FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY1;
  FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY2;

}

/**
  * @brief  Unlocks the FLASH Program Erase Controller.
  * @note   This function can be used for all STM32F10x devices.
  *         - For STM32F10X_XL devices this function unlocks Bank1 and Bank2.
  *         - For all other devices it unlocks Bank1 and it is equivalent 
  *           to FLASH_UnlockBank1 function.. 
  * @param  None
  * @retval None
  */
void FLASH_Unlock(void)
{
  /* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;

#ifdef STM32F10X_XL
  /* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
  FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY1;
  FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY2;
#endif /* STM32F10X_XL */
}

总结：FLASH_Unlock包括 FLASH_UnlockBank1和 FLASH_UnlockBank2取决于芯片类型

/* FLASH Keys */
#define RDP_Key                  ((uint16_t)0x00A5)
#define FLASH_KEY1               ((uint32_t)0x45670123)
#define FLASH_KEY2               ((uint32_t)0xCDEF89AB)

• RDP_Key：
  这是用于设置读保护(RDP)级别的密钥。读保护是一种保护机制，用于防止未授权的读取对Flash的访问。通过将RDP_Key写入特定的Flash寄存器，可以设置读保护级别。0x00A5是预定义的RDP_Key值。
• FLASH_KEY1和FLASH_KEY2：
  这两个密钥是用于解锁Flash的访问权限的。当需要对Flash进行编程、擦除等操作时，需要先解锁Flash。FLASH_KEY1和FLASH_KEY2是两个32位的特定值，通过连续写入这两个值到FLASH->KEYR寄存器，可以解锁Flash的访问权限。FLASH_KEY1的值为0x45670123，FLASH_KEY2的值为0xCDEF89AB。

上锁Flash代码解析

/**
  * @brief  Locks the FLASH Bank1 Program Erase Controller.
  * @note   this function can be used for all STM32F10x devices.
  *         - For STM32F10X_XL devices this function Locks Bank1.
  *         - For all other devices it Locks Bank1 and it is equivalent 
  *           to FLASH_Lock function.
  * @param  None
  * @retval None
  */
void FLASH_LockBank1(void)
{
  /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of  Bank1 */
  FLASH->CR |= CR_LOCK_Set;
}

这段代码是用于锁定STM32的Bank1程序擦除控制器（Program Erase Controller）。以下是该代码的解释：
该函数用于锁定STM32的Bank1程序擦除控制器，适用于所有STM32F10x系列的设备。对于STM32F10X_XL系列的设备，该函数锁定Bank1。对于其他设备，它锁定Bank1并等效于FLASH_Lock函数。
该函数没有参数。
函数的返回值为None。
函数内部的操作是通过将CR_LOCK_Set（宏定义的值）设置到FLASH->CR寄存器的LOCK位，从而锁定Bank1的访问权限。具体来说，使用按位或操作符将CR_LOCK_Set设置到FLASH->CR寄存器的LOCK位，以锁定Flash的访问权限。

/**
  * @brief  Locks the FLASH Bank2 Program Erase Controller.
  * @note   This function can be used only for STM32F10X_XL density devices.
  * @param  None
  * @retval None
  */
void FLASH_LockBank2(void)
{
  /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of  Bank2 */
  FLASH->CR2 |= CR_LOCK_Set;
}

/**
  * @brief  Locks the FLASH Program Erase Controller.
  * @note   This function can be used for all STM32F10x devices.
  *         - For STM32F10X_XL devices this function Locks Bank1 and Bank2.
  *         - For all other devices it Locks Bank1 and it is equivalent 
  *           to FLASH_LockBank1 function.
  * @param  None
  * @retval None
  */

void FLASH_Lock(void)
{
  /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of  Bank1 */
  FLASH->CR |= CR_LOCK_Set;

#ifdef STM32F10X_XL
  /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of  Bank2 */
  FLASH->CR2 |= CR_LOCK_Set;
#endif /* STM32F10X_XL */
}

总结：FLASH_Lock包括 FLASH_LockBank1和 FLASH_LockBank2取决于芯片类型

/* Flash Control Register bits */
#define CR_PG_Set                ((uint32_t)0x00000001)
#define CR_PG_Reset              ((uint32_t)0x00001FFE) 
#define CR_PER_Set               ((uint32_t)0x00000002)
#define CR_PER_Reset             ((uint32_t)0x00001FFD)
#define CR_MER_Set               ((uint32_t)0x00000004)
#define CR_MER_Reset             ((uint32_t)0x00001FFB)
#define CR_OPTPG_Set             ((uint32_t)0x00000010)
#define CR_OPTPG_Reset           ((uint32_t)0x00001FEF)
#define CR_OPTER_Set             ((uint32_t)0x00000020)
#define CR_OPTER_Reset           ((uint32_t)0x00001FDF)
#define CR_STRT_Set              ((uint32_t)0x00000040)
#define CR_LOCK_Set              ((uint32_t)0x00000080)

这段代码定义了一些与Flash控制寄存器（Control Register）相关的位掩码（bits）。以下是这些位掩码的解释：

• CR_PG_Set和CR_PG_Reset：
  用于编程Flash的位掩码。CR_PG_Set将FLASH->CR寄存器的PG位设置为1，表示启用Flash编程访问。CR_PG_Reset将FLASH->CR寄存器的PG位复位为0，表示禁用Flash编程访问。
• CR_PER_Set和CR_PER_Reset：
  用于擦除Flash扇区的位掩码。CR_PER_Set将FLASH->CR寄存器的PER位设置为1，表示启用Flash扇区擦除。CR_PER_Reset将FLASH->CR寄存器的PER位复位为0，表示禁用Flash扇区擦除。
• CR_MER_Set和CR_MER_Reset：
  用于擦除整个Flash存储器的位掩码。CR_MER_Set将FLASH->CR寄存器的MER位设置为1，表示启用Flash全片擦除。CR_MER_Reset将FLASH->CR寄存器的MER位复位为0，表示禁用Flash全片擦除。
• CR_OPTPG_Set和CR_OPTPG_Reset：
  用于编程Flash选项字节的位掩码。CR_OPTPG_Set将FLASH->CR寄存器的OPTPG位设置为1，表示启用Flash选项字节编程。CR_OPTPG_Reset将FLASH->CR寄存器的OPTPG位复位为0，表示禁用Flash选项字节编程。
• CR_OPTER_Set和CR_OPTER_Reset：
  用于擦除Flash选项字节的位掩码。CR_OPTER_Set将FLASH->CR寄存器的OPTER位设置为1，表示启用Flash选项字节擦除。CR_OPTER_Reset将FLASH->CR寄存器的OPTER位复位为0，表示禁用Flash选项字节擦除。
• CR_STRT_Set：
  用于启动Flash操作的位掩码。CR_STRT_Set将FLASH->CR寄存器的STRT位设置为1，表示启动Flash编程或擦除操作。
• CR_LOCK_Set：
  用于锁定Flash的位掩码。CR_LOCK_Set将FLASH->CR寄存器的LOCK位设置为1，表示锁定Flash的访问权限。

这些位掩码用于在进行Flash编程、擦除和操作期间设置或复位Flash控制寄存器中的特定位。在实际应用中，可以根据需要使用这些位掩码来配置和控制Flash的操作。

STM32库函数中FLASH擦除操作相关函数解析

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);

这是三个函数用于擦除STM32的Flash存储器中的页面和选项字节。以下是这些函数的解释：

1. FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)：
   该函数用于擦除指定地址的Flash存储器页面。Page_Address参数表示要擦除的页面的起始地址。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。可能的返回值包括：
   • FLASH_COMPLETE：擦除操作成功完成。
   • FLASH_BUSY：擦除操作正在进行中。
   • FLASH_ERROR_WRP：擦除操作失败，由于写保护设置导致的错误。
   • FLASH_ERROR_PG：擦除操作失败，由于编程错误导致的错误。
2. FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void)：
   该函数用于擦除Flash存储器中的所有页面。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。
3. FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void)：
   该函数用于擦除Flash存储器中的选项字节。选项字节是一些用于配置Flash存储器和设备行为的特殊字节。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。

这些函数用于在运行时对Flash存储器进行擦除操作。在调用这些函数之前，请确保已经解锁Flash的访问权限（通过调用FLASH_Unlock函数）

STM32库函数中FLASH写操作相关函数解析

FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);

这是三个函数用于将数据编程到STM32的Flash存储器中。以下是这些函数的解释：

1. FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)：
   该函数用于将一个32位的数据（Data）编程到指定地址（Address）的Flash存储器中。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示编程操作的状态。
2. FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)：
   该函数用于将一个16位的数据（Data）编程到指定地址（Address）的Flash存储器中。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示编程操作的状态。
3. FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data)：
   该函数用于将一个8位的数据（Data）编程到指定地址（Address）的Flash存储器的选项字节中。选项字节是一些用于配置Flash存储器和设备行为的特殊字节。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示编程操作的状态。

这些函数可以在运行时使用，将数据编程到Flash存储器中。在调用这些函数之前，请确保已经解锁Flash的访问权限（通过调用FLASH_Unlock函数）。在编程之前，请确保已经擦除了要写入的Flash页面。

STM32库函数中FLASH写保护、读出保护、配置选项字节操作相关函数解析

LASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);

以下是这些函数的解释：

1. FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages)：
   该函数用于启用Flash存储器中指定页面（FLASH_Pages）的写保护。写保护功能可以防止对特定页面的数据写入操作。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示操作的状态。
2. FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState)：
   该函数用于配置Flash存储器的读出保护功能。NewState参数用于启用或禁用读出保护功能。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示操作的状态。
3. FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY)：
   该函数用于配置用户选项字节（User Option Bytes），用于设置设备的特定选项。OB_IWDG、OB_STOP和OB_STDBY参数用于配置选项字节的不同选项。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示操作的状态。

这些函数用于在运行时对Flash存储器进行写保护、读出保护和配置选项字节的操作。在调用这些函数之前，请确保已经解锁Flash的访问权限（通过调用FLASH_Unlock函数）。

STM32库函数中FLASH获取相关设置结果的函数解析

uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);

以下是这些函数的解释：

1. uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void)：
   该函数用于获取用户选项字节（User Option Bytes）的值。用户选项字节是用于设置设备的特定选项的字节。
2. uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void)：
   该函数用于获取写保护选项字节的值。写保护选项字节用于配置Flash存储器中的写保护功能。
3. FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void)：
   该函数用于获取Flash存储器的读出保护状态。返回的FlagStatus类型值表示读出保护是否已启用。
4. FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void)：
   该函数用于获取预取缓存器（Prefetch Buffer）的状态。返回的FlagStatus类型值表示预取缓存器是否已启用。

这些函数用于获取Flash存储器的信息,跟上面的函数作用相反

STM32库函数中FLASH有关中断配置以及执行状态获取的函数解析

void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);

以下是这些函数的解释：

1. void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState)：
   该函数用于配置Flash存储器的中断功能。FLASH_IT参数用于指定要配置的中断类型，NewState参数用于启用或禁用中断功能。
2. FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG)：
   该函数用于获取指定Flash标志位的状态。FLASH_FLAG参数用于指定要查询的标志位，返回的FlagStatus类型值表示标志位的状态。
3. void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG)：
   该函数用于清除指定的Flash标志位。FLASH_FLAG参数用于指定要清除的标志位。
4. FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)：
   该函数用于获取Flash存储器的状态。
   这些函数用于操作Flash存储器的中断和标志位。使用FLASH_ITConfig函数可以配置Flash存储器的中断功能，通过指定FLASH_IT参数来选择要配置的中断类型，通过NewState参数来启用或禁用中断。使用FLASH_GetFlagStatus函数可以获取指定标志位的状态，通过指定FLASH_FLAG参数来选择要查询的标志位，返回的FlagStatus类型值表示标志位的状态。使用FLASH_ClearFlag函数可以清除指定的标志位，通过指定FLASH_FLAG参数来选择要清除的标志位。

一般在进行FLASH之前会认为的清除对应标准确保FLASH处于未被操作的状态。也可以通过FLASH_GetStatus函数来获取Flash存储器的状态。
以便根据需要采取相应的处理措施。
返回值类型为 FLASH_Status，表示Flash存储器的操作状态。可能的返回值包括：

• FLASH_COMPLETE：上一次的Flash操作已完成。
• FLASH_TIMEOUT：Flash操作超时。
• FLASH_BUSY：Flash存储器正忙，无法执行新的操作。
• FLASH_ERROR_PG：Flash编程错误，写入数据失败。
• FLASH_ERROR_WRP：Flash写保护错误，无法写入数据。

函数 FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout) 用于等待Flash存储器上一次操作的完成。
该函数的参数 Timeout是等待超时的时间，单位为毫秒。如果上一次的Flash操作在指定的超时时间内完成，函数将返回 FLASH_COMPLETE，表示操作已完成。如果超过了指定的超时时间，函数将返回 FLASH_TIMEOUT，表示操作超时。
返回值类型为 FLASH_Status，表示Flash存储器的操作状态。可能的返回值包括：

• FLASH_COMPLETE：上一次的Flash操作已完成。
• FLASH_TIMEOUT：Flash操作超时。
• FLASH_BUSY：Flash存储器正忙，无法执行新的操作。
• FLASH_ERROR_PG：Flash编程错误，写入数据失败。
• FLASH_ERROR_WRP：Flash写保护错误，无法写入数据。

通过调用该函数，并传入适当的超时时间，可以等待Flash存储器上一次操作的完成，并根据返回值判断操作的状态。这样可以确保在进行下一次Flash操作之前，上一次操作已经完成。确保程序执行的正确性。

STM32库函数中有关FLASH性能配置的几个函数

void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);
void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);
void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);

这三个函数用于配置STM32的Flash存储器访问性能和优化选项。以下是这些函数的解释：

1. void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency)：
   该函数用于设置Flash存储器的访问延迟（Latency）。Flash存储器的访问延迟是指在访问Flash数据时需要的等待周期数。FLASH_Latency参数是一个表示访问延迟的值，具体取决于系统时钟频率和Flash存储器的性能特性。
2. void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess)：
   该函数用于配置Flash存储器的半周期访问。FLASH_HalfCycleAccess参数用于启用或禁用Flash存储器的半周期访问模式。在半周期访问模式下，访问Flash存储器的时钟周期被减半，可以提高Flash存储器的访问速度。参数FLASH_HalfCycleAccess可以是以下值之一：
   • FLASH_HalfCycleAccess_Enable：启用半周期访问模式。
   • FLASH_HalfCycleAccess_Disable：禁用半周期访问模式。
3. void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer)：
   该函数用于配置Flash存储器的预取缓冲区。预取缓冲区是用于提前读取Flash数据的缓冲区，可以加速Flash数据的访问。FLASH_PrefetchBuffer参数用于启用或禁用Flash存储器的预取缓冲区。参数FLASH_PrefetchBuffer可以是以下值之一：
   • FLASH_PrefetchBuffer_Enable：启用预取缓冲区。
   • FLASH_PrefetchBuffer_Disable：禁用预取缓冲区。

这些函数可以根据需要在初始化阶段或运行时阶段调用，以配置Flash存储器的访问性能和优化选项。具体使用哪些函数以及参数取决于系统要求和性能需求。

STM32的FLASH如何进行编程（库函数样例）

int main(void)
{
  /*!< At this stage the microcontroller clock setting is already configured, 
       this is done through SystemInit() function which is called from startup
       file (startup_stm32f10x_xx.s) before to branch to application main.
       To reconfigure the default setting of SystemInit() function, refer to
       system_stm32f10x.c file
     */

/* Porgram FLASH Bank1 ********************************************************/
  /* Unlock the Flash Bank1 Program Erase controller */
  FLASH_UnlockBank1();

  /* Define the number of page to be erased */
  NbrOfPage = (BANK1_WRITE_END_ADDR - BANK1_WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

  /* Clear All pending flags */
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);	

  /* Erase the FLASH pages */
  for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
  {
    FLASHStatus = FLASH_ErasePage(BANK1_WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
  }
  
  /* Program Flash Bank1 */
  Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;

  while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
  {
    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
    Address = Address + 4;
  }

  FLASH_LockBank1();
  
  /* Check the correctness of written data */
  Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;

  while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (MemoryProgramStatus != FAILED))
  {
    if((*(__IO uint32_t*) Address) != Data)
    {
      MemoryProgramStatus = FAILED;
    }
    Address += 4;
  }
}

这段代码展示了一个主函数的示例，其中包含了对Flash的擦除、编程和数据验证操作。以下是对每个步骤的解释：

1. 对系统进行初始化：在main函数之前，通过调用SystemInit()函数来配置微控制器的时钟设置和其他系统初始化。可以在system_stm32f10x.c文件中重新配置SystemInit()函数的默认设置。
2. 解锁Flash Bank1：调用FLASH_UnlockBank1()函数来解锁Flash Bank1的编程和擦除控制器，允许对其进行操作。
3. 计算需要擦除的页数：通过计算Flash可编程区域的起始地址和结束地址之间的页数，得到需要擦除的页数。每页的大小由FLASH_PAGE_SIZE定义。
4. 清除标志位：调用FLASH_ClearFlag()函数来清除Flash的待处理标志位，包括操作结束标志位(EOP)、编程错误标志位(PGERR)和写保护错误标志位(WRPRTERR)。
5. 擦除Flash页：使用循环结构，调用FLASH_ErasePage()函数来逐页擦除Flash。循环会检查擦除操作的状态，并在满足条件时继续进行下一页的擦除。
6. 编程Flash：使用循环结构，调用FLASH_ProgramWord()函数来逐字编程Flash。循环会检查编程操作的状态，并在满足条件时继续进行下一个地址的编程。
7. 加锁Flash Bank1：调用FLASH_LockBank1()函数来锁定Flash Bank1，防止进一步的编程和擦除操作。
8. 验证数据的正确性：使用循环结构，通过读取Flash中的数据与预期的数据进行比较，来验证数据的正确性。如果发现不一致的数据，则将MemoryProgramStatus标记为FAILED。

这段代码展示了如何在主函数中执行Flash的擦除、编程和数据验证操作。在实际应用中，需要根据具体的需求和硬件配置进行相应的调整和错误处理。

在STM32F103C8T6上进行验证

#define STM32PAGESIZE 			1024  //	一个页的字节数是1K

//写数据到FLASH中并加上校验
uint8_t STM32Flash_SaveParm(uint32_t Addr,uint8_t *pdata,uint16_t len)
{
	uint16_t i=0,Page;
	uint32_t tmpAddr,tmplen,Sum=0;
	if(Addr%4)
		return0;
	FLASH_Unlock();
	FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
	tmpAddr = Addr-Addr%STM32PAGESIZE;
	if(Addr%STM32PAGESIZE)
	{
		tmplen = len+Addr%STM32PAGESIZE-STM32PAGESIZE;
		Page   = 1;
	}
	else
	{
		tmplen = len;
		Page   = 0;
	}
	Page += tmplen/STM32PAGESIZE;
	if(tmplen%STM32PAGESIZE)
		Page++;
	for(i=0;i<Page;i++)	
		FLASH_ErasePage(tmpAddr+i*STM32PAGESIZE);
	for(i=0;i<len;i++)
		Sum+=pdata[i];
	for(i=0;i<len/4;i++)
	{
		FLASH_ProgramWord(Addr, *(uint32_t*)pdata);
		pdata +=4;
		Addr  +=4;
	}
	if(len%4)
	{
		uint8_t buf[4]={0},j;
		for(j=0;j<len%4;j++)         
			buf[j]=*pdata++;	
		FLASH_ProgramWord(Addr, *(uint32_t*)buf);
		Addr+=4;
	}
	FLASH_ProgramWord(Addr, Sum);
	FLASH_Lock();
	return0;
}

//读数据从FLASH中并计算校验
uint8_t STM32Flash_ReadParm(uint32_t Addr,uint8_t *pdata,uint16_t len)
{
	uint16_t i;
	uint32_t Sum=0;
	uint8_t *qdata=pdata;
	if(Addr%4)
		return0;
	for(i=0;i<len/4;i++)
	{
		*(uint32_t*)pdata=*(uint32_t*)Addr;
		Addr+=4;
		pdata+=4;
	}
	if(len%4)
	{
		uint8_t buf[4]={0};
		*(uint32_t*)buf=*(uint32_t*)Addr;
		Addr+=4;
		for(i=0;i<len%4;i++)
			*pdata++=buf[i];
	}
	for(i=0;i<len;i++)
		Sum+=(*qdata++);
	if(Sum!=*(uint32_t*)Addr)
	{
		return1;
	}
	return0;
}

总结

FLASH的读写在IAP或者OTA以及fatfs上有很重要的应用，这篇文章就先记录这么多，后面会考虑实现一个单片机给（F407）给另外一个单片机（F103）进行程序升级。对这一块儿感兴趣的朋友可以关注，最近关注我的朋友越来越多，我定期更新的动力也越来越足，争取尽快更新~